IXTA42N15T
IXTP42N15T
70
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
60
50
40
45
40
35
30
25
T J = - 40oC
25oC
30
20
T J = 150oC
25oC
- 40oC
20
15
150oC
10
10
0
5
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
1,000
f = 1 MHz
Ciss
1.00
0.10
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_42N15T(3G)11-21-08-A
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